英国研发可模拟人脑记忆功能的忆阻器可促进AI、机器人等技术发展

盖世汽车讯 据外媒报道，英国曼彻斯特大学国家石墨烯研究所的研究人员成功研发了一款新型可编程纳米流体忆阻器，其可模拟人脑的记忆功能，为下一代神经形态计算技术的发展奠定了基础。

纳米通道模拟生物离子通道与突触的功能

该项研究成果登载于《自然通讯》期刊，展示了二维(2D)纳米通道如何通过调控，实现理论上预测的四种忆阻行为，而且这是首次在单一器件中实现。该研究不仅揭示了对离子记忆机制的新见解，还有可能实现低功耗离子逻辑、神经形态组件和自适应化学传感等新兴应用。

忆阻器，或称记忆电阻，是一种能够根据先前电流活动调整其自身电阻，从而能够有效存储此种活动记忆的元件。目前，现有的大多数忆阻器都依靠电子迁移的固态器件，但Radha Boya教授领导的研究团队却采用了被限制在由二维材料制成的薄纳米通道内的液态电解质。此种纳米流体方法能够实现超低耗运行，并具备模拟生物学习过程的能力。

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